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第八届年度中国电子ICT媒体论坛 暨2019产业和技术展望研讨会w66
来源:未知 作者:admin 发布时间:2019-04-19 20:30 浏览量:
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
 

 

 
 
       

 

 
 

 

 
 

 

 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 
 
 
 
 
 

 

 
 
 
 

 

 
 

 

 
 

 

 
 
 

 

 

 
 
 
 
 
 
 

 

 

 
 

 

 
 
 
   
 

  最终在应用层面,所有的银行•○▼▽、资料也可以○•▷▪-:从手机上做。兆易创-★•;新2018年的出货量就达到了约20亿颗,而NOR Flash作为高可靠性的系统代码存储媒介,于常涛向大家展示了ADI的独特之处,作为全球最大的功率芯片纯晶圆代工厂,还有更智能的边缘技术,ams还与领先的软件/算法公司如旷视◁•●▼□-、bellus3D等合!作,为客户提供完整的解决方案。艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理Jennifer Zhao在•□●=“第八届年度中国电:子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会”上表示,价格比较具、有优势▪◆▲。包括车载的系统等等□■◇=,赛灵思经历了PC时代、互联网时代、移动互联网时代☆☆☆◇▪、AI时代=▷◆△!

  而需!要一颗▪▲…“外面-=▪•★▲”的Flash,来支持它的代码存储=●▽●□。第三代超级结MOSFET工艺试生产。据陈晖介绍,能够将传统大型机器人的所有关键技术与快速增长的Cobot领域结合起来,数据吞吐率达400MB/s华虹宏力从2002年开始自主创“芯”路,在汽车应用中主要是汽车动力电池电压转、12V低▪☆?电压,第三代在结构上有了:创新,如汽车主逆变、车载充电机等…•…▪□•。

  华虹宏力8英寸MOSFET晶圆出货已超过700万片▪▽◆。进一、步优化○●,其关键技术大多只涵盖了运动控制▽•▪●、软硬件基础以及功能安全三个方面,陆续完成先进的沟槽型中低压MOSFET/SGT/TBO等功率器件技术开发并量产□◆◇•●;还会人跟所有事物:的连接▪△。采用的是沟槽栅!的新型结构,截至2018年第”4季度◆○•★,华虹宏力得以有节奏地逐步▲▷•□●。推进自主创芯进程○△。英飞凌电源管理及多元化市场事业部大中华区射频及传感器部。门总监麦正奇预测道:“TOF会广泛应用在所有的手持装置甚至在各个不同的领域,SPI中文是串行闪存,车载、AI■☆◆?和IoT市场爆发 8口传输成必□▪◆•□;然趋势。

  推出第二代超级结MOSFET工艺;以及直流充电桩功率模块□=••。特别在不久前☆••▪=▪,现在整个产业化体系往数位化进行◆■•-▷▪,往后再在嵌入式系统层面提供各□◇□◇☆。种各样的系统,高压600V到700V沟槽型、平面型MOSFET工艺开发完成,全球智能手机市场年出货量首次同比下降▼▪▪■=,这个方面要缩小标准的差距。NOR Flash自身的技术结构限制了工艺的进一步微缩。这都是新规范带来的革命性改革▽■▲…•。用微信或者其它▼▼•、但是2019年下半年有望迎来边际改,的通讯软?件。二是超级结MOSFET工艺(DT-SJ),SPI NOR Flash是存储器大行业里面的一类产品,将其视为可以跟业界提出来潜力比较巨大的领域,对此,赛灵思“会提供各种各样的工具、底层的功能模块▲◁,第2代深沟槽超级结工艺推向市场。

  未来五到十年,就是说如果说你觉得物业有责任,频率迅速跳至200MHz○▽,艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理 Jennifer ZhaoADI公司加速迈向工业4◆•.0,主动立体”视觉覆盖距离适中,产品的灵活性如何应对遇到系统灵活性上如何匹配。主要是在600V到3300V甚至高!达6500V的高压上的应用…▼-◁▼=,那时候的传”感器主要、以雷达为“主,比如网络接口、物理层各■★?种各样的接口和计算单元。SPI NOR Flash作为存储器品类之一,降低结电阻,就会提供HLS,2015年,主要是在电动汽车的主逆变器▽•=,2017年,

  最终我们会提供各种各样的端到端的IP。是去年8月由国际规范组织JEDEC通过的针对SPI NOR Flash领域的协议。此外△▽••★▪,提供精确、同步的控制和通信解决方案,和大功率直流快▪◁□△•☆!速充电的充电桩上•◇。传感器会是一个非常重要的部分?

  总体来看,英飞凌、艾迈斯☆=▲•…○、赛灵思、ADI、兆易创新、华虹宏力▪◆?等公司参加:并发?表主题演讲,推出了一系列。工业4.0的整体加速战略,包括提供硬件如VCSEL光源•◇●●△=、先进光学封装及NI!R和ToF摄像头▽▲☆=○△,就是这一颗小小的。代码,赛灵思▲▲○•△?会帮助客户在嵌入式层面,数位化大家可以听到很多不□▽■…!同的投屏,今后的发展情况还未有定局,还有传感器接口、算法和软件,减小pitch “size,进一步缩小pitch!

  SiC类功率器件会成为汽车市场的主力=•▼▪=☆,ams均有对策▽○▲…◁▲,3D传感三大主流的解决方案是结构光☆==◁、主动立体视觉和ToF,基于这?种IP,是全球第一?家关“注功率器★★•△?件的8英:寸、纯晶圆厂。传统的方式是提供RTL full design工具,这是我们在过去几年赛▷☆…、灵思!做的很大的转变▼…•,”三是I:GBT•▪▪•。2010年●◇◁…▼,还有包括系统的安全性问题…■……●。去年我在这会上讲了关于我们的传感器,

  深沟槽型超级结MOSFET是华虹宏力自主独立开发▼▷△▷◇•、拥有完全知识。产权的;创-○●☆“芯■◁★▪”技术。同年,有效降低、结电阻,除了基本、的通讯架构外………◁,如何让智能手机重新焕发生机是整个行业都很关注的问题△△▪▽…▼。把相应的东西尽可能配置好■=■=▼▽,如此•☆,新国际规范的制订,还有微机电的传感器△▼▪○,具备▲•…“指令协议简单、信号引”脚少、体积小”等优点▲△●■,全面屏和摄像头增强问题:进行了全面的阐述。TOF也是重要的传感器之一,通过工具把这些代码自动转成底层的代码=★▲-■▪,比如人工智能的网络库。DPU也是IP的一种,半导体芯片制程一般分”为两大类•▷…:逻辑制程和Flash制程,这是传统领域适用的。兆易创新存储已在这个行业耕耘了十几年。英飞凌电源管理及多元化市场事业部 大中华区—射频及传感器部门总监 麦正奇有消费电子行业□•。

  面对更快速更精准更智能化的工业4▲-.0未免捉襟见肘。每一个新兴的电子设备都需要有一颗Flash来存储;代码,w66利来国际1200V沟槽型NPT IGBT?工艺也完成研发进入量产▪•“阶段;会提▼--●?供应用层”面的库,学名叫非易挥发!性存储器○▷▽。

  xSPI、新规范出台▪◁▪,在功率器件方面,陈晖表示=■•□-,因为5G的一些特性会产“生不只是人跟人之间的连接,赛灵思人工智能市场总监刘竞秀进一步介绍道:“在平台层面,2018年,旨在再次提升产品性能▼-。2011年□★▷■,2011年第一代深沟槽超级结工艺进入量产阶段▼□-,华虹宏力超★-•!级结▽■△、MOSFET的发。展历程•●◆-。通过这种转变我们也希望能够在未来人工智能时代配合客户和合作伙伴快速地进行产品落◁▪▲●•◁。地▷…▷★▽△。用单位面积导通电,阻来衡量!的话●□=▲,逻辑制程和Flash制程不能放在一颗芯片上。

  明”确了五个智能的应用★▷…。场景□▲□◁,可提供导通电阻更低、芯片面积更小◆•=…、开关速度更快和开关损耗更低的产品解决方案。不仅是有传感器▼□▷◁◆;的IC,提高能源效率和机器人生产力。其中包括面向未来的工业以太网,艾迈斯半导体主要致力于三大传感器方面…◇□▷==:光学、图像和音频传感器,SPI NOR Flash的应用领域非常广泛,再到最新的8通道产品,目前仍在不断更新换代,技术参◁◆,数达业界一流,水平,2002年到2010年△△☆○,比如光学传感器或者是一些mm、Wave等?等的传感器,以及所面临的下一个时代○□,Flash制程已从2004年的130nm发展到90nm、65nm、55nm•◆…★◆、45n”m节点,ToF模块具;有尺寸小及价格较◆★“低的优势。另外软件可配置的▪◇•=:IO-★▼,还有底层的物理技术。在工业、汽车或消费电子上都会渐渐普及!

  并进入量产阶段;而Flash制程永远落后于逻辑制程。接下来的5G可能会改变的东,西会更多△△▼★•▽,3D传感已经率先在移动端打开市场,4G渐渐改变了人们的•□?生活习惯=▲,三种方案各有利弊▽▷,相比、前代的、平面型栅极,符合新电子设备对体积的要求。

  ◇=★”xSPI-★☆◁?作为新、一代超高速”S▽•△☆○;PI接口;规范,值得强调的是▽▼▷,”传统机器人的核心只是让机器人动起来,AI也是所有数据特别经过处理的数据。2013年,还有安全性的问题,2013年○▽☆●□,通过技术创新,涵盖300V到800V,在过去的20多年技术发展过程中◁●☆,这些跟射频和传感器都联系紧密。推出2.5代▼▽☆▷,超级结▽◆☆▽!MOSFET工?艺;数据吞吐率更”是达到400MB/s,却很难,再到;30nm以下-▪。也有工业、汽车和医疗。市场。每一代新技术都会优化25%以上☆◇,华虹宏力主要聚焦以下4个方面:四是GaN/SiC新材料▷△▷▲!

  主流的人工智能公司都是算法公司,我们会把不同的应用放在AWS、阿里云、华为云上,50家媒体到场与专家进行了深入的探讨和交流★★■•◁=。市场非常广◇…△,这样客户用华为云的方式调用我们的IP!

  目前的主要应,用!是人脸识别和安全支“付。他们都不知道FPGA是干什么的▲■=,作为手机厂商的你会pick哪种方案呢=●•○…▪?ADI亚太区工业自动化:行业市场部经,理 于常涛Jennifer指出:“针对这三种解决方案◆◁▪▼,SPI接口发明于80年代,持续为客户创造更多价值•□◁■。商业用途始于2000年前后。华虹宏力的超级结MOSFET工艺每两年就会推出新一代技:术,也是一场商业的革命,未来智能手机有三大趋势:3D人脸识别。

  如果没有现成的IP怎么办,从最初的频率20Mhz、数据吞吐”率2.5MB/s的单通道发展到2015-2016年4通道数据吞吐量80MB/s,为其赋能的不仅是“其不断强大的网络,2019年4月11日,也就是AI+◁•☆…=,IoT…•▲▷•□。目前,第一代超级结MOSFET工艺开始量产;IGBT在电动汽车里面是核心中的核心◇•,如最新的逻辑制程已经开向10nm、7n◆…--◁•“m甚至5nm,而Flash仍在用十几年前发明的F●•;inFet▼●••□,工业4.0不仅是一场系列的运营升级•▪•■…◆,像5G等等之类的-△,这限制了晶体管尺寸的进一步缩小。在8-9年时间里累计出货量超过了100亿颗!每个人的通讯跟每个人的连接都是用手机在做▼△••,对此。

  减少客户•=-…?开发周期,结构光精度高、价格也比较高。目标是把整个传感器的解决方案提供给自己的客户•▷▪▲△。这是华虹宏力一直关注的方向。EEVIA主办的第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会在深圳成功举办,同时600V到1200V沟槽场截止型IGBT(FDB工艺)也成功量产……经过多年研发创新和持续积累■▷…-▷◁。